小山株式會社

DRAM現貨價格再現曙光，512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）均價本周以來大漲近一成，出乎業者原預期，集邦科技（DRAMeXchange）昨（27）日報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格最高衝上0.95美元，年底前可望收復1美元關卡。

業界認為，目前需求確實有比預期好些，但「作帳行情」才是推升價格上揚的主力。

分析師指出，12月整體DRAM合約價已下修逾一成，反應前波現貨價大跌影響，如今現貨價格回穩，也將激勵合約價往後止跌，不僅主攻現貨市場的力晶可先喘口氣，包括南科、茂德等合約市場比重高的DRAM廠，也將受惠。

DRAM市場進入年底作帳，原廠與模組商受到庫存跌價影響，近期不再低價拋售，以期年底財報不用大舉提列庫存跌價損失，正因如此，這兩個月下跌逾五成的DDR，近期出現可觀反彈，重新挑戰1美元的價位。

但就近幾天價格回彈來看，應該與耶誕節前客戶降低庫存水位，如今假期邁入尾聲，陸續回補庫存所致，至於能否真的在年底前重新站回1美元大關，目前採「審慎樂觀」態度面對。

先前力晶集團董事長黃崇仁表示，明年3月DRAM需求可望回溫。

業者表示，農曆春節科技產品買氣被寄予厚望，大陸1月DRAM及快閃記憶體備料，以及2月春節過後的補貨行情近期帶動市場買氣，由於第一季進入晶圓廠歲修階段，實際產出顆粒將明顯短少，加上碰上中國農曆年買氣出籠，後勢價格將審慎樂觀。

集邦科技最新報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格離1 美元關卡近在咫尺，均價也站穩0.9美元以上，過去一周來由0.8美元附近起漲，漲幅近一成。

現貨價格反彈，業者營運壓力大減。力晶（5346）現貨市場出貨比重最高，將率先受惠。昨天股價上漲0.35元、收12.9 元，成交量近3.7萬張。

包括南科（2408）、茂德（5387）、華亞科（3474）等昨天股價也群起收紅；先前股價跌深的下游記憶體模組廠走勢更是強勁，威剛（3260）、勁永（6145）都曾攻上漲停，創見（2451）也大漲逾5%。

集邦認為，台灣部分DRAM製造商近期考慮在明年農曆年期間進行歲休，可望成為「變相減產」，減少產出幅度約在10%至25%，有助明年第一季DRAM價格反彈。目前已有奇夢達宣布歐洲地區少量減產，將有助減少市場供給，有利價格走勢。

新聞分析》人氣重聚 躋身大盤A咖

DRAM現貨價格年底前出現急拉走勢，令業者與市場驚豔，期待在2007年結束前，能重新站回1美元大關。

今年DRAM價格走勢如溜滑梯一般，以512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）為例，一路從年初的6美元之上，崩跌至0.8美元以下，讓市場傻眼，隨著年底價格露出曙光，可望再度聚集人氣，並成為維繫台股大盤走勢的要角。

目前看來，市場期待的「業界大減產」，今年是確定看不到了，儘管產能持續開出，但在製程持續微縮至70奈米以下，配合先進製程技術愈加成熟，DRAM廠生產成本仍有下降空間，對於明年的景氣走勢，業界仍不看淡。

尤其先前價格大幅修正，大量刺激電腦單機搭載DRAM容量，例如半年前大多數單機都是搭載512MB DRAM，第四季起已由1GB容量躍居主流，目前市面上搭載2GB DRAM出貨的電腦也愈來愈多，甚至也有3GB容量的單機銷售，明年上半年Vista 新版本問世後，可望刺激隨機容量增至4GB，有助價格走勢。